Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1071X-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
SI1071X

SI1071X-T1-E3 Hakkında

SI1071X-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 960mA sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. SOT-563 (SC-89) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 167mOhm RDS(on) değerine sahiptir. Gate threshold gerilimi 1.45V olup, ±12V maksimum gate geriliminde çalışabilir. -55°C ile +150°C arasında işletim sıcaklığına dayanıklıdır. 236mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında, anahtar devre tasarımlarında, ses sistemleri ve portatif cihazlarda kullanılır. Bileşen obsolete (üretimi sonlandırılmış) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 960mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 167mOhm @ 960mA, 10V
Supplier Device Package SC-89 (SOT-563F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.45V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok