Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1070X-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1070X
SI1070X-T1-GE3 Hakkında
SI1070X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 1.2A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (99mΩ @ 4.5V) sayesinde enerji verimliliği sağlar. SC-89 (SOT-563) Surface Mount paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamaları, power management devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması gibi alanlarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 236mW maksimum güç saçabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 385 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 236mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.55V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok