Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1069X-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1069X
SI1069X-T1-GE3 Hakkında
SI1069X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 940mA sürekli dren akımı kapasitesi ile analog ve dijital devre uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 184mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlayan bu bileşen, pil yönetimi, güç denetimi ve sinyal anahtarlaması uygulamalarında yer alır. SC89-6 paketinde sunulan transistör, geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir performans sunar. Yüksek entegrasyon ve kompakt tasarım gerektiren portable cihazlar ve IoT uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 940mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.86 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 308 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 236mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 184mOhm @ 940mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok