Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1069X-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
SI1069X

SI1069X-T1-E3 Hakkında

SI1069X-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 970mA sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 4.5V gate voltajında 184mOhm on-direnç değerine sahiptir. SC89-6 (SOT-563) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu komponen, düşük sinyal seviyesi anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve analog switch tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve maksimum 236mW güç tüketebilir. 6.86nC gate charge ve 308pF giriş kapasitansı hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur. Ürün kullanım dışı (Obsolete) durumda olup, arşiv ve bakım projeleri için stokta bulunabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 970mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.86 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 308 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 184mOhm @ 940mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-89 (SOT-563F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok