Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1067X-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
SI1067X

SI1067X-T1-GE3 Hakkında

SI1067X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilim desteği ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 1.06A sürekli drenaj akımı ve 150mOhm (4.5V, 1.06A) RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SC89 (SOT-563) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük kapı yükü (9.3nC @ 5V) ve düşük giriş kapasitansı (375pF @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Telekomünikasyon, tüketici elektroniği ve batteri yönetim sistemlerinde yer alır. Not: Bu ürün üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.06A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 375 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 1.06A, 4.5V
Supplier Device Package SC-89 (SOT-563F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok