Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1065X-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1065X
SI1065X-T1-E3 Hakkında
SI1065X-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 1.18A sürekli akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. 156mΩ on-direnci (Rds On) ile verimli güç yönetimi sağlar. SC-89 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. Bilgisayar çevre birimleri, mobil cihazlar, güç kaynakları ve otomotiv elektronik uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.18A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 236mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 1.18A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok