Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-89
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1062X
SI1062X-T1-GE3 Hakkında
SI1062X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj desteği ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. 530mA sürekli drenaj akımı ve 420mOhm (4.5V, 500mA) RDS(on) değeri ile anahtarlama ve doğrulama devrelerinde yer alır. SC-89 (SOT-490) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, batarya şarj sistemleri, LED kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 220mW maksimum güç saçılımı özelliği vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 530mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 43 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-89, SOT-490 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 220mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok