Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1058X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1058X
SI1058X-T1-GE3 Hakkında
SI1058X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında çalışan bu bileşen, 1.3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. SC-89 (SOT-563) paketinde sunulan kompakt tasarımı, yüksek yoğunluklu PCB uygulamalarında kullanıma uygundur. 91mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge'ı 5.9nC olarak belirtilmiş, hızlı anahtarlama uygulamalarına uyumludur. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile +150°C arasında değişmektedir. Power management, DC-DC konvertörler, load switching ve genel amaçlı anahtarlama devreleri için uygun bir çözümdür. Bileşen üretim durdurulmuş (Obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.9 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 236mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 91mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.55V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok