Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1058X-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 1.3A SC89-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1058X
SI1058X-T1-E3 Hakkında
SI1058X-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 1.3A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 91mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. SC-89 (SOT-563) yüzey montajlı paketinde sunulur. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler ve mobil cihazlarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 5.9nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Kütüphaneye kaydedilmiş ürün olup, yeni tasarımlarda alternatif tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.9 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 380 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 236mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 91mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.55V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok