Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1056X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1056X
SI1056X-T1-GE3 Hakkında
SI1056X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj desteği ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SC-89 (SOT-563) kompakt yüzey montajlı paket ile sınırlı alan gerektiren tasarımlara uygun olacak şekilde geliştirilmiştir. Maksimum 1.32A sürekli dren akımı kapasitesi ile küçük sinyalleme ve anahtarlama devreleri, güç yönetimi, batarya koruma devrelerine ve IoT cihazlarında uygulanır. 89mOhm on-resistance değeri ile düşük ısı kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş sıcaklık ortamlarında kullanım imkanı verir. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.32A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 236mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 89mOhm @ 1.32A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok