Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1054X-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
SI1054X

SI1054X-T1-GE3 Hakkında

SI1054X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilim ile 1.32A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. SC-89 (SOT-563F) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (95mOhm @ 4.5V) ve düşük kapasitans değerleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 236mW maksimum güç tüketimi özellikleriyle, portatif cihazlar, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde sık kullanılan bir komponenttir. Ancak bu ürün artık üretilmemektedir (obsolete status).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.32A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 1.32A, 4.5V
Supplier Device Package SC-89 (SOT-563F)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok