Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1051X-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1051X
SI1051X-T1-GE3 Hakkında
SI1051X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 8V drain-source voltaj ile 1.2A sürekli akım kapasitesine sahiptir. SOT-563 (SC-89) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (4.5V'da 122mOhm) ile verimli anahtarlama işlemlerinde kullanılır. Güç yönetimi devreleri, batarya koruma sistemleri, düşük güçlü anahtarlama uygulamaları ve mobil cihazlarda yaygın olarak yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu FET, kompakt boyutu ve yüzey montajı özellikleriyle modern PCB tasarımlarına uygundur. Maksimum 236mW güç tüketimi ile termal yönetimi kolaydır. (Not: Bu bileşen üretim dışı durumdadır.)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.45 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 236mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 122mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok