Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1051X-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1051X
SI1051X-T1-E3 Hakkında
SI1051X-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 8V drain-source gerilimi ve 1.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 122mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SC89-6 (SOT-563) paketinde sunulan bu bileşen, portatif cihazlar, enerji yönetim devrелeri, pil şarj kontrolü ve düşük voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Tasarım süresi minimize edilmiş montajı ve kompakt yapısı ile tasarımcılar tarafından yaygın olarak kullanılmaktadır. Not: Bu ürün artık üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.45 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 236mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 122mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok