Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1050X-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1050X
SI1050X-T1-GE3 Hakkında
SI1050X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 8V drain-source gerilimi (Vdss) ile 1.34A sürekli drenaj akımı sağlar. 4.5V gate voltajında 86mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. SC-89 (SOT-563F) yüzey montajlı paketinde sunulur. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ile 150°C arası) güvenilir performans gösterir. Düşük güç tüketimi (236mW) ve hızlı anahtarlama özellikleri ile motor kontrolü, güç yönetimi, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.34A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 585 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 236mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 86mOhm @ 1.34A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok