Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1039X-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 870MA SC89-6
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1039X
SI1039X-T1-E3 Hakkında
SI1039X-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source voltaj ve 870mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SOT-563 (SC-89) yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. 4.5V gate voltajında 165mOhm maksimum on-direnci ile düşük kayıp uygulamaları destekler. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 170mW maksimum güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük güçlü elektronik kontrol sistemlerinde kullanılan genel amaçlı P-channel MOSFET'tir. Ürün durumu itibariyle üretim dışı olup, stok kaybı durumunda alternatif çözümler gerekebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 870mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 170mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 870mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89 (SOT-563F) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok