Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1032X-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-89
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1032X
SI1032X-T1-E3 Hakkında
SI1032X-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 200mA sürekli akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SC-89 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 5Ohm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C arası) sayesinde endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde, küçük güçlü LED sürücülerinde ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. 0.75 nC kapısı yükü ile hızlı anahtarlama işlemi gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-89, SOT-490 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok