Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1032R-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1032R
SI1032R-T1-GE3 Hakkında
SI1032R-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 140mA sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, SC-75 (SOT-416) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve genel amaçlı lojik uygulamalarında kullanılır. 250mW maksimum güç tüketimi ve ±6V maksimum gate-source gerilimi ile sinyal işleme ve güç dönüştürme uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 140mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-75A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok