Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1022R-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1022R
SI1022R-T1-GE3 Hakkında
Vishay SI1022R-T1-GE3, 60V drain-source voltajına sahip N-channel MOSFET transistördür. SC-75 (SOT-416) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 330mA sürekli dren akımı kapasitesine ve 1.25Ω maksimum RDS(on) direncine (10V gate voltajında) sahiptir. 250mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama hızı, düşük kapı yükü (0.6nC) ve minimal giriş kapasitanası (30pF) sayesinde hızlı komütasyon gerektiren devreler için uygundur. Gümrük elektronikleri, güç yönetimi, LED sürücüler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 330mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SC-75A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok