Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1022R-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1022R
SI1022R-T1-E3 Hakkında
SI1022R-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 330mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SC-75 (SOT-416) yüzey monte paketinde sunulur. 1.25Ω RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 0.6nC ve input capacitance 30pF olarak belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, aktif filtreler, RF amplifikatörler ve düşük güçlü dijital devrelerde kullanılabilir. Maximum 250mW güç tüketebilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 330mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 250mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SC-75A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok