Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1021R-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1021R
SI1021R-T1-E3 Hakkında
SI1021R-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 190mA sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SC-75 (SOT-416) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük anahtarlama hızı gerektiren analog ve dijital devre uygulamalarında kullanılır. 4Ω maksimum on-state direnci (10V Vgs'de) ile güç kaybı minimize edilir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yer alır. Gate charge değeri 1.7nC olup, hızlı anahtarlama gerektirmeyen kontrol ve anahtar uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 190mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 250mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SC-75A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok