Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1013X-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-89
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1013X
SI1013X-T1-GE3 Hakkında
SI1013X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 350mA sürekli dren akımı ile çalışır. Rds(on) değeri 1.2Ohm (4.5V, 350mA koşullarında) olan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında kullanılan güç anahtarlama elemanıdır. SC-89 yüzey montaj paketi içinde sunulur ve -55°C ile 150°C arasında çalışır. Geniş sıcaklık aralığı ve kompakt yapısı ile mobil cihazlar, LED sürücüleri, batarya yönetimi sistemleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 250mW maksimum güç tüketimi sınırlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-89, SOT-490 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok