Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1013X-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SC-89
Seri / Aile Numarası
SI1013X

SI1013X-T1-E3 Hakkında

SI1013X-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 350mA sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SC-89 SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük kapı yükü (1.5nC) ve 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında etkin bir şekilde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, portatif cihazlar, güç yönetim devreleri ve low-side anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 250mW güç yayılım kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SC-89, SOT-490
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-89-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±6V
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok