Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI1013R-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SC-75
Seri / Aile Numarası
SI1013R

SI1013R-T1-GE3 Hakkında

SI1013R-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 350mA sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, SC-75 (SOT-416) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 4.5V gate geriliminde maksimum 1.2Ω on-direnç değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, battery management systems ve düşük güçlü load kontrolü gibi alanlarda kullanılır. 150mW güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlarda tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 350mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SC-75, SOT-416
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-75A
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±6V
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok