Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1013CX-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-89
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1013CX
SI1013CX-T1-GE3 Hakkında
SI1013CX-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim (Vdss) ve 450mA sürekli dren akımı kapasitesi ile kompakt uygulamalar için tasarlanmıştır. SC-89 (SOT-490) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V kontrol geriliminde 760mΩ maksimum on-direnci ile verimli anahtarlama performansı sunar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Tipik uygulamaları arasında güç yönetimi devreleri, pil yönetim sistemleri, invertörler ve düşük voltajlı anahtarlama devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 450mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 45 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-89, SOT-490 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 190mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 760mOhm @ 400mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok