Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1012X-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-89
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1012X
SI1012X-T1-E3 Hakkında
SI1012X-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 500mA sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SC-89 (SOT-490) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 700mOhm maksimum on-state direnci ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve düşük sinyal kontrol sistemlerinde yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen cihaz, maksimum 250mW güç tüketimi karakteristiğine sahiptir. Gate eşik gerilimi 900mV (250µA'da) olup, ±6V maksimum gate gerilimi toleransı vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-89, SOT-490 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 250mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok