Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1012R-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1012R
SI1012R-T1-GE3 Hakkında
SI1012R-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim desteği ile düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. 500mA sürekli drain akımı kapasitesi ve 700mOhm (4.5V, 600mA) RDS(on) değeri ile veri satırı anahtarlama, yük kontrolü ve sürücü uygulamalarında tercih edilir. SC-75 (SOT-416) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (0.75nC) ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-75A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok