Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1012CR-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC75A
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1012CR
SI1012CR-T1-GE3 Hakkında
SI1012CR-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 630mA sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 4.5V kapı geriliminde 396mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sunar. SC-75 (SOT-416) yüzey monte pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 2nC kapı yükü ve 43pF giriş kapasitansiyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Düşük güç tüketimi (240mW) nedeniyle pil çalışan cihazlarda, anahtarlama devrelerinde ve kontrolçü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 630mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 43 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-75, SOT-416 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 240mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 396mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-75A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok