Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1011X-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V SC89-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-89
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1011X
SI1011X-T1-GE3 Hakkında
SI1011X-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajında çalışan bu bileşen, 480mA sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SC-89 (SOT-490) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. 4.5V gate voltajında 640mΩ RDS(on) direnciyle düşük kaçak akıma sahiptir. 190mW maksimum güç tüketimiyle şarj pompaları, anahtarlama uygulamaları ve düşük güçlü analog devreler gibi uygulamalarda kullanılır. Gate charge değeri 4nC olup hızlı komütasyon gerektiren tasarımlara uygundur. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 480mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 62 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-89, SOT-490 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 190mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 640mOhm @ 400mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-89-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok