Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI1002R-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SC-75
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI1002R
SI1002R-T1-GE3 Hakkında
SI1002R-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 610mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SC-75A yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 560mΩ tipik RDS(on) değeri ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen SI1002R, endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 220mW maksimum güç saçılımı ile batarya beslemeli ve portatif cihazlarda enerji verimliliği sağlar. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük kapasitans değerleri (36pF) sayesinde yüksek frekanslı devrelerde de uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 610mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 36 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-75A |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 220mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-75A |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok