Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SFW9Z24TM
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SFW9Z24TM
SFW9Z24TM Hakkında
SFW9Z24TM, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 9.7A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 280mOhm on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde gelen bu bileşen, anahtarlama, invertör devreleri ve güç dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-3 (DPAK) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok