Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SFT1458-H

MOSFET N-CH 600V 1A IPAK/TP

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
SFT1458

SFT1458-H Hakkında

SFT1458-H, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim dayanımına sahip bu bileşen, 1A sürekli drain akımı ve 10V gate sürüş geriliminde 13Ohm maksimum RDS(on) değeri ile çalışır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük güçlü anahtarlamada kullanılır. 3.8nC gate charge ve 65pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özellikleri sağlar. ±30V maksimum gate-source gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığı sınırı ile orta voltaj seviyesi uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün Obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 65 pF @ 20 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package IPAK/TP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok