Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SFR2955TM

P-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SFR2955

SFR2955TM Hakkında

SFR2955TM, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 7.6A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bu transistör, 10V gate drive voltajında 300mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 2.5W (Ta) ve 32W (Tc) maksimum güç dağılımı özellikleri ile anahtarlama uygulamaları, invertörler, motor kontrolü ve güç yönetim devrelerine uygun bir çözümdür. 19nC gate charge ve 600pF input capacitance değerleri hızlı komütasyon için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package TO-252-3 (DPAK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok