Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTWA90N65G2V-4
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTWA90N65G2V
SCTWA90N65G2V-4 Hakkında
SCTWA90N65G2V-4, STMicroelectronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltajı ve 119A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 24mOhm RDS(on) değeriyle düşük kaçak kaybı sağlar. -55°C ile +200°C sıcaklık aralığında çalışabilen komponent, güç elektronikleri, DC-DC dönüştürücüler, inverterler ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılır. 565W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile ağır yüklerin kontrolü gerektiren sistemlerde önemli bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 119A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 157 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3380 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 565W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 50A, 18V |
| Supplier Device Package | HiP247™ Long Leads |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok