Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTWA90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTWA90N65G2V
SCTWA90N65G2V Hakkında
SCTWA90N65G2V, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V dayanımlı Silicon Carbide (SiC) teknolojisine sahip N-channel power MOSFET'tir. Sürekli dren akımı 119A (Tc) ve maksimum güç tüketimi 565W olan bu transistör, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 24mΩ drain-source direnci (Rds On) ile verimli enerji dönüşümü sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, -55°C ile +200°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Fotovoltaik inverterler, endüstriyel güç kaynakları, elektrikli araç şarj sistemleri ve motor sürücüleri gibi yüksek frekanslı anahtarlama gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 119A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 157 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3380 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 565W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 50A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247 Long Leads |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok