Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTWA60N120G2-4
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTWA60N120G2
SCTWA60N120G2-4 Hakkında
SCTWA60N120G2-4, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V/60A N-Channel SiC (Silicon Carbide) MOSFET'tir. TO-247-4 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında düşük iletim kaybı ve hızlı anahtarlama özellikleri sunmaktadır. 52mΩ maksimum Rds(on) değeri ile güç kaybını minimize eder. -55°C ile +200°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı sayesinde otomotiv, endüstriyel konvertörler, şarj sistemleri ve yenilenebilir enerji uygulamalarında kullanılır. 18V gate drive voltajı ile modern kontrol devrelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 94 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1969 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 388W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 30A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok