Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTWA50N120
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTWA50N120
SCTWA50N120 Hakkında
SCTWA50N120, STMicroelectronics tarafından üretilen SiCFET (Silicon Carbide) teknolojisine dayalı bir N-Kanal MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilim dayanımı ve 65A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 69mΩ maksimum RDS(on) direnci ile verimli güç iletimini sağlar. -55°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir. Endüstriyel konvertörler, invertörler, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek gerilim uygulamalarında tercih edilir. 122nC gate charge ve düşük input capacitance sayesinde hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 318W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 40A, 20V |
| Supplier Device Package | HiP247™ |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok