Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTWA35N65G2VAG
SICFET N-CH 650V 45A TO247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTWA35N65G2VAG
SCTWA35N65G2VAG Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen SCTWA35N65G2VAG, Silicon Carbide (SiC) teknolojisi tabanlı bir N-channel power MOSFET'tir. 650V drain-source gerilim ve 45A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bileşen, 72mOhm maksimum on-state direnci (20A, 20V'de) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığına sahip olan cihaz, 208W maksimum güç dissipasyonuna dayanabilir. Endüstriyel konverterler, solar inverter'lar, elektrik motor sürücüleri ve dikişli güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V, 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247 Long Leads |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok