Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTWA35N65G2V
TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTWA35N65G2V
SCTWA35N65G2V Hakkında
SCTWA35N65G2V, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel Silicon Carbide (SiCFET) MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltaj yeteneği ve 45A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 72mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletkenlik sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Enerji dönüşüm sistemleri, SMPS güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. SiC teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama ve düşük kapasitif yükleme özelliği ile EMI azaltımına katkı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V, 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 73000 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247 Long Leads |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok