Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTW90N65G2V
SICFET N-CH 650V 90A HIP247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTW90N65G2V
SCTW90N65G2V Hakkında
SCTW90N65G2V, STMicroelectronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) FET teknolojisine dayalı N-channel MOSFET'tir. 650V drain-source gerilim ve 90A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu transistör, güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. HiP247 paketinde sunulan cihaz, maksimum 390W güç saçılması yapabilir. Düşük 25mOhm on-state direnç değeri, güç kaybını minimize etmeye yardımcı olur. -55°C ile 200°C arasında çalışabilen transistör, enerji dönüştürücüler, güç inverterleri ve yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde uygulanır. SiC teknolojisi sayesinde yüksek sıcaklık ortamlarında da güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 157 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 390W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A, 18V |
| Supplier Device Package | HiP247™ |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok