Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTW70N120G2V
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTW70N120G2
SCTW70N120G2V Hakkında
SCTW70N120G2V, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET transistörüdür. 1200V drain-source voltajı ve 91A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 30mΩ on-resistance değeri ile yüksek frekanslı güç uygulamalarında verimli çalışır. TO-247-3 paket tipinde sunulan bileşen, -55°C ile +200°C arasında çalışabilir. SiC teknolojisi sayesinde düşük ısıl dirençle 547W güç dağıtabilir. Endüstriyel invertörler, solar çevirici sistemleri, enerji depolama uygulamaları ve elektrikli araç drivetrain'lerinde kullanılır. 18V gate drive voltajı ile modern kontrol devrelerinden kolay tahrik edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 91A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3540 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 547W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 50A, 18V |
| Supplier Device Package | HiP247™ |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok