Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTW40N120G2VAG
SICFET N-CH 1200V 33A HIP247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTW40N120G2VAG
SCTW40N120G2VAG Hakkında
SCTW40N120G2VAG, STMicroelectronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source gerilimi ve 33A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 105mΩ maksimum RDS(on) değerine sahip olup, 290W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. -55°C ile 200°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, inverter, konverter ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. SiC teknolojisi sayesinde düşük kayıp ve yüksek verimlilik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1230 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 290W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 20A, 18V |
| Supplier Device Package | HiP247™ |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok