Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTW40N120G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTW40N120G2V
SCTW40N120G2V Hakkında
SCTW40N120G2V, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET'tir. 36A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 100mΩ (max) gate-source gerilimi 18V'de açılabilir direnci ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. SiCFET teknolojisi sayesinde düşük kapasitans (1233pF @ 800V) ve hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile +200°C arasında çalışabilen bu transistör, 278W maksimum güç tüketimi ile elektrik araç şarj sistemleri, güç kaynakları, invertörler ve endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. TO-247-3 paketi ile Through Hole montajına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1233 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 18V |
| Supplier Device Package | HiP247™ |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok