Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTW35N65G2VAG
SICFET N-CH 650V 45A HIP247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTW35N65G2VAG
SCTW35N65G2VAG Hakkında
SCTW35N65G2VAG, STMicroelectronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilim ve 45A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 67mΩ maksimum Rds(On) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-3 paketlemesi ile Through Hole montajına uygundir. -55°C ile +200°C arasında çalışır ve 240W maksimum güç dağıtımı yapabilir. Anahtarlama güç kaynakları, inverter sistemleri, motor kontrol devreleri ve diğer yüksek voltaj/yüksek frekans uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V, 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | HiP247™ |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok