Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTW35N65G2V
SICFET N-CH 650V 45A HIP247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTW35N65G2V
SCTW35N65G2V Hakkında
STMicroelectronics SCTW35N65G2V, Silicon Carbide (SiCFET) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 45A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 67mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 200°C arasında güvenli çalışır ve 240W güç disipasyonuna sahiptir. Endüstriyel güç elektroniği, motor sürücüleri, güç kaynakları ve yüksek frekanslı uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V, 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 240W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | HiP247™ |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok