Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTL90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTL90N65G2V
SCTL90N65G2V Hakkında
SCTL90N65G2V, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET'tir. N-Channel konfigürasyonda tasarlanan bu bileşen, 40A sürekli drenaj akımı ve 24mΩ maksimum RDS(on) değeri ile yüksek verimli güç dönüşüm uygulamalarında kullanılır. 8-PowerVDFN paketinde sunulan cihaz, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına ve 935W maksimum güç dağıtımına sahiptir. SiC teknolojisi sayesinde daha düşük kayıplar ve daha hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. Endüstriyel güç kaynakları, elektrikli araçlar, yenilenebilir enerji sistemleri ve 650V sınıfında güç elektronikleri uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 157 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3380 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 935W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 40A, 18V |
| Supplier Device Package | PowerFlat™ (8x8) HV |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok