Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTL35N65G2V
TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTL35N65G2V
SCTL35N65G2V Hakkında
SCTL35N65G2V, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 40A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 67mΩ on-resistance değeriyle güç dönüştürme devrelerinde verimliliği artırır. PowerFlat™ 8x8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel invertörler, solar enerji sistemleri, elektrikli araç şarj cihazları ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 417W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | PowerFlat™ (8x8) HV |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok