Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTH90N65G2V-7
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTH90N65G2V
SCTH90N65G2V-7 Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen SCTH90N65G2V-7, 650V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış SiCFET (Silicon Carbide) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET'tir. 90A sürekli dren akımı kapasitesi ve 26mΩ maksimum on-dirençi ile güç dönüştürme, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. H2PAK-7 (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında 330W güç disipasyonu sağlar. 157nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahip olup, 18V drive voltajında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 157 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 330W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 50A, 18V |
| Supplier Device Package | H2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok