Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTH70N120G2V-7
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTH70N120G2V
SCTH70N120G2V-7 Hakkında
SCTH70N120G2V-7, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET transistördür. 90A sürekli dren akımı ve 30mOhm maksimum kapalı durum direnci (Rds On) ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 469W maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle endüstriyel invertörler, AC/DC güç kaynakları, motorlu sürücüler ve yenilenebilir enerji sistemlerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, H2PAK-7 (TO-263-8) paketinde sunulur ve aktif ürün statüsündedir. 18V gate sürme voltajı ile kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3540 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 469W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 50A, 18V |
| Supplier Device Package | H2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok