Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTH40N120G2V7AG
SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTH40N120G2V7
SCTH40N120G2V7AG Hakkında
SCTH40N120G2V7AG, STMicroelectronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim kapasitesi ve 33A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. H2PAK-7 paketinde sunulan bu bileşen, 105mΩ maksimum RDS(on) değeri ile etkin güç yönetimi sağlar. Gate charge karakteristiği 63nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirmektedir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, şebeke güç kaynakları, solar inverterler, elektrikli araç yüksek gerilim sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SiC teknolojisi sayesinde daha düşük kayıplar ve yüksek frekans anahtarlaması mümkündür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1230 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 20A, 18V |
| Supplier Device Package | H2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok