Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SCTH35N65G2V-7
SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SCTH35N65G2V
SCTH35N65G2V-7 Hakkında
SCTH35N65G2V-7, STMicroelectronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiCFET) tabanlı N-Channel MOSFET'tir. 650V drain-source voltajı ve 45A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. TO-263-8 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 67mΩ düşük on-direnç değeri ile enerji verimliliği sağlar. Gate yükü 73nC ve gümrük sıcaklığında 208W güç dağıtma kapasitesi ile güç elektronikleri, endüstriyel denetleyiciler, motor sürücüleri ve enerji dönüşüm sistemlerinde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V, 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | H2PAK-7 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok